Большая Энциклопедия Нефти и Газа

В качестве тензодиодов обычно применяют туннельные диоды, у которых отдельные участки вольт-амперной характеристики существенно зависят от деформации рабочего тела диода.  [16]

Принцип действия тензодиода основан на изменении высоты потенциального барьера в р-и-переходе при деформации полупроводника. В качестве тензодиодов могут быть использованы туннельные диоды, динамическое сопротивление которых зависит от степени деформации и мало зависит от температурных изменений. При шунтировании туннельного диода сопротивлением, величина которого соизмерима с отрицательным сопротивлением диода, можно получить величину К.  [18]

Этих недостатков нет у туннельных тензодиодов . Крутизна вольт-амперной характеристики туннельного диода на отдельных участках сильно зависит от деформации, что связано с изменением ширины запрещенной зоны.  [19]

На рис. 11.5 приведены вольт-амперные характеристики тензодиода . Параметром является механическая сила, приложенная к диоду.  [20]

На рис. 11.4 показан общий вид универсального тензодиода . Затем проводится глубокая диффузия примесей. Полученная таким образом / j — область состоит из узких пересекающихся каналов, образующих структуру сетки.  [21]

Для тензочувствительных полупроводниковых приборов — тензорезисторов и тензодиодов — нужны материалы, характеризующиеся многодолинными энергетическими зонами с возможно большей анизотропией эффективных масс или под-вижностей носителей заряда по различным кристаллографическим осям. Так как свойства энергетических зон в одном и том же полупроводнике могут существенно отличаться, то характер и значение тензочувствителыюсти в полупроводнике с п — и р-типом электропроводности могут быть различны. Поэтому малая тензочувствительность в — полупроводнике еще не означает, что она не может быть большой в р-полупроводнике того же самого материала.  [22]

Представляет интерес создание тензочувствительных приборов, состоящих из тензодиода и транзистора, причем транзистор служит лишь для усиления сигнала с тензодиода. Током базы является здесь ток через барьер Шоттки, который при постоянном напряжении на базе зависит от давления.  [24]

При малых значениях деформаций и давлений чувствительность тензорезисторов оказывается недостаточной и применение находят тензодиоды , имеющие более высокий коэффициент тензочувствительности.  [25]

Представляет интерес создание тензочувствительных приборов, состоящих из тензодиода и транзистора, причем транзистор служит лишь для усиления сигнала с тензодиода . Током базы является здесь ток через барьер Шоттки, который при постоянном напряжении на базе зависит от давления.  [26]

В тензодиодах используется изменение величины потенциального барьера р-п-перехода, обусловленное изменением ширины запрещенной зоны при механической деформации. Чувствительность тензодиода к всестороннему давлению достигает нескольких сотен, а при одноосной деформации она значительно выше.  [27]

В тензодиодах используется изменение величины потенциального барьера р — / г-перехода, обусловленное изменением ширины запрещенной зоны при механической деформации. Коэффициент тензочувствительности тензодиода к всестороннему давлению достигает нескольких сотен, а при одноосной деформации он значительно выше.  [28]

Принцип действия тензодиода основан на изменении высоты потенциального барьера в р-и-переходе при деформации полупроводника. В качестве тензодиодов могут быть использованы туннельные диоды, динамическое сопротивление которых зависит от степени деформации и мало зависит от температурных изменений. При шунтировании туннельного диода сопротивлением, величина которого соизмерима с отрицательным сопротивлением диода, можно получить величину К.  [29]

Тензометрами называют приборы, чувствительные к механическим деформациям. Полупроводниковые тензометры могут представлять собой сопротивления, меняющиеся при деформации, — тензорезисторы, и приборы с электронно-дырочными переходами — тензодиоды .  [30]

Источник:http://www.ngpedia.ru/id505919p2.html