В качестве тензодиодов обычно применяют туннельные диоды, у которых отдельные участки вольт-амперной характеристики существенно зависят от деформации рабочего тела диода. [16]
Принцип действия тензодиода основан на изменении высоты потенциального барьера в р-и-переходе при деформации полупроводника. В качестве тензодиодов могут быть использованы туннельные диоды, динамическое сопротивление которых зависит от степени деформации и мало зависит от температурных изменений. При шунтировании туннельного диода сопротивлением, величина которого соизмерима с отрицательным сопротивлением диода, можно получить величину К. [18]
Этих недостатков нет у туннельных тензодиодов . Крутизна вольт-амперной характеристики туннельного диода на отдельных участках сильно зависит от деформации, что связано с изменением ширины запрещенной зоны. [19]
На рис. 11.5 приведены вольт-амперные характеристики тензодиода . Параметром является механическая сила, приложенная к диоду. [20]
На рис. 11.4 показан общий вид универсального тензодиода . Затем проводится глубокая диффузия примесей. Полученная таким образом / j – область состоит из узких пересекающихся каналов, образующих структуру сетки. [21]
Для тензочувствительных полупроводниковых приборов – тензорезисторов и тензодиодов – нужны материалы, характеризующиеся многодолинными энергетическими зонами с возможно большей анизотропией эффективных масс или под-вижностей носителей заряда по различным кристаллографическим осям. Так как свойства энергетических зон в одном и том же полупроводнике могут существенно отличаться, то характер и значение тензочувствителыюсти в полупроводнике с п – и р-типом электропроводности могут быть различны. Поэтому малая тензочувствительность в – полупроводнике еще не означает, что она не может быть большой в р-полупроводнике того же самого материала. [22]
Представляет интерес создание тензочувствительных приборов, состоящих из тензодиода и транзистора, причем транзистор служит лишь для усиления сигнала с тензодиода. Током базы является здесь ток через барьер Шоттки, который при постоянном напряжении на базе зависит от давления. [24]
При малых значениях деформаций и давлений чувствительность тензорезисторов оказывается недостаточной и применение находят тензодиоды , имеющие более высокий коэффициент тензочувствительности. [25]
Представляет интерес создание тензочувствительных приборов, состоящих из тензодиода и транзистора, причем транзистор служит лишь для усиления сигнала с тензодиода . Током базы является здесь ток через барьер Шоттки, который при постоянном напряжении на базе зависит от давления. [26]
В тензодиодах используется изменение величины потенциального барьера р-п-перехода, обусловленное изменением ширины запрещенной зоны при механической деформации. Чувствительность тензодиода к всестороннему давлению достигает нескольких сотен, а при одноосной деформации она значительно выше. [27]
В тензодиодах используется изменение величины потенциального барьера р – / г-перехода, обусловленное изменением ширины запрещенной зоны при механической деформации. Коэффициент тензочувствительности тензодиода к всестороннему давлению достигает нескольких сотен, а при одноосной деформации он значительно выше. [28]
Принцип действия тензодиода основан на изменении высоты потенциального барьера в р-и-переходе при деформации полупроводника. В качестве тензодиодов могут быть использованы туннельные диоды, динамическое сопротивление которых зависит от степени деформации и мало зависит от температурных изменений. При шунтировании туннельного диода сопротивлением, величина которого соизмерима с отрицательным сопротивлением диода, можно получить величину К. [29]
Тензометрами называют приборы, чувствительные к механическим деформациям. Полупроводниковые тензометры могут представлять собой сопротивления, меняющиеся при деформации, – тензорезисторы, и приборы с электронно-дырочными переходами – тензодиоды . [30]
Источник:http://www.ngpedia.ru/id505919p2.html
